本芯片采用矽外延工藝製造，具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性，較大的動態範圍，理想的電流線性；主要應用於(yu) 超高頻微波、高頻寬帶低噪聲放大器中，如CATV視頻放大器、無線收發模塊、各類遠距離遙控器、安防報警器、模擬數字無繩電話等產(chan) 品中，適合中功率高頻信號放大；集電極-發射極擊穿電壓：BVCEO=15V，最大集電極電流：ICM=100mA,集電極耗散功率：PC=1000mW，特征頻率：fT=8.5GHz；封裝形式：SOT89,本體(ti) 印字(Marking)：S58。

具有高功率增益放大以及低噪聲特性，大動態範圍，理想的電流線性；主要應用於(yu) 超高頻微波無線射頻放大、VHF、UHF 和CATV 高頻寬帶低噪聲放大器、無線遙控器、射頻模塊、雷達感應開關(guan) 等電路中；集電極-發射極擊穿電壓：BVCEO≥12V，最大集電極電流：IC≥100mA,集電極功率：PC≥200mW（SOT-323 封裝PC≥150mW），特征頻率：fT=7.5GHz；封裝形式：SC59、SOT23 或者SOT323,本體(ti) 印字：R25； 180-250